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深圳市英尚微电子有限公司
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产品目录

我司专业微电子IC芯片供应商提供SRAM等,原厂供货,价格和交期优势全国

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详细说明

    产品特点:

• 超低功耗,待机电流仅为0.25uA

• 静态随机存储器

• Single C/S

• Process Technology : 0.18μm Full CMOS

• Organization : 64K x 16 bit

• Power Supply Voltage : 2.7V ~ 3.6V

• Low Data Retention Voltage : 1.5V(Min.)

• Three state output and TTL Compatible

• Package Type : 48-FPBGA, 44-TSOP2

 

产品系列:

Part  Number       (型号)

Operating  Temperature 

(操作温度)

Vcc Range

(电压范围)

Speed

(速度)

Power  Dissipation(功耗)

PKG Type

(封装形式)

(ISB1, Typ.)待机电流

(ICC1.Max.)

*大工作电流

EM611FV16 Industrial

    (-40 ~ 85oC) 2.7~3.6V 45/55/70ns 0.25 μA 3mA KGD(裸片)

EM611FV16-xxLF 48-FPBGA

EM611FV16U-xxLF 44-TSOP2

   备注:型号中的“xx”表示速度。

 



主要代理MRAM(非易失性存储器),可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM,EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:



串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit



型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压     工作温度     封装

MR25H256     256Kb     32K*8       40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN

MR25H10       1Mb       128K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN

MR25H40       4Mb       512K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN,8-DIP





并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit

型号                 容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装

MR256A08B       256Kb     32K*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA

MR0A08B           1Mb       128K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA

MR0D08B           1Mb       128K*8      45ns         2.7V~3.6V,I/O 1.8V      Blank       48-BGA

MR2A08A           4Mb       512K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA

MR4A08B           16Mb      2Mb*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA





并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit

型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装

MR0A16A         1Mb       64K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA

MR2A16A         4Mb       256K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA

MR4A16B         16Mb      1Mb*16       35ns         2.7V~3.6V               C,M         54TSOP,48-BGA





我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器),NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系. 

如以下型号:



CY14B064I       CY14ME064       CY14B101KA      CY14B108N

CY14B064P       CY14B101Q       CY14B101LA      CY14B256KA

CY14B101Q       CY14C101J       CY14B101MA      CY14E256LA

CY14B101I       CY14B256P       CY14B101NA      CY14V101LA

CY14C101I       CY14B256Q       CY14B104K              CY14V101NA

CY14B101P       CY14B512I       CY14B104LA      CY14V104LA

CY14E256Q       CY14B512P       CY14B104M              CY14V104NA

CY14MB064       CY14B512Q       CY14B104NA      STK11C88

CY14MB256       CY14B101Q       CY14B108K              STK14C88

CY14B108M       STK16C88       CY14B108L              STK15C88





FM23MLD16        FM25H20           FM1808         FM18W08

FM22L16                 FM25V10           FM18L08         FM1808B

FM22LD16         FM25V05           FM24C512         FM28V010

FM21L16                 FM25V02           FM24L256         FM25L256B

FM21LD16         FM25W256   FM24C256         FM25256B

FM28V100         FM25V01           FM24V05         FM24V10

FM28V020         FM25L512   FM24W256         FM24V01

FM24V02

 
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